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PSMN1R7-60BS,118  与  IPB029N06N3 G  区别

型号 PSMN1R7-60BS,118 IPB029N06N3 G
唯样编号 A-PSMN1R7-60BS,118 A-IPB029N06N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
零件号别名 - IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GXT SP000453052
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.3mΩ
上升时间 - 120ns
Qg-栅极电荷 - 165nC
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 75S
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 120A 120A
配置 - Single
输入电容 9997pF -
长度 - 10mm
下降时间 - 20ns
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 306W 188W
输出电容 1210pF -
典型关闭延迟时间 - 62 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
Rds On(max)@Id,Vgs 2mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 35ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥15.4899
400+ :  ¥13.127
800+ :  ¥12.0431
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R7-60BS_SOT404

¥15.4899 

阶梯数 价格
210: ¥15.4899
400: ¥13.127
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